岗位职责：
负责 GaN HEMT 芯片的设计、验证与调试，熟悉相关的 GaAs 技术，对 HEMT 器件结构有深入的了解，熟练掌握 GaN HEMT 设计、工艺以及测试技术，能完成 GaN HEMT 器件的开发和验证，具备良好的团队协作能力和沟通能力。
任职资格（工作经验、知识结构、能力要求、性格及品质等）：
1) 氮化镓HEMT器件开发工作经验2年以上，5年以上经验的优先考虑；
2) 熟悉氮化镓HEMT器件工艺流程和器件原理；
3) 熟练使用Sentaurus或Silvaco仿真软件进行氮化镓HEMT器件器件仿真；
4) 能够独立完成氮化镓HEMT器件仿真设计、工艺设计和流片；
5) 性格及品质：主动性强、钻研精神，良好的沟通能力和团队意识！
