2025年7月17日，由吉利汽车集团主办、OE 汽车承办的 “2025 吉利汽车研究院国产芯片技术展” 盛大启幕! 真茂佳半导体受邀参展，期间与现场工作人员深入交流技术细节，并积极参与了 “先进封装助力技术降本” 主题演讲，深入探讨国产芯片在汽车产业的应用与发展前景!
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一、展品&产品展示
展会期间，真茂佳半导体携多款重磅车规级展品与产品精彩亮相！ 其展品覆盖了车身多个关键应用领域，包括车灯、电池管理系统(BMS)、水泵、油泵、车载电动助力转向(EPS)、DC/DC转换器、雨刮系统等。在产品层面，本次重点展出了涵盖三大核心系列的9颗车规芯片：包括中低压MOSFET、适用于高压高功率场景的SiC MOSFET，以及高可靠性的IGBT产品线，充分展现了其在汽车电子功率器件领域的技术实力与产品布局!
二、专题演讲
活动中，真茂佳半导体的方案总监发表了题为“车规级MOSFET先进封装助力技术降本”的主题演讲! 演讲的核心内容聚焦于： 通过设计MOSFET新型封装结构，来优化器件散热效能，以达到用更低规格参数MOSFET来完成同等功能要求，最终达到降本的目的; 同时，详细阐述了这一创新封装设计如何有效提升散热效率，为器件选型提供了更大的灵活性空间。演讲结束后，真茂佳团队还就该技术方案的落地应用及成本效益与现场工作人员展开了深入交流！
本次展会，真茂佳与众多与会嘉宾及行业同仁展开了卓有成效的深入交流。展望未来，真茂佳将继续深耕新能源汽车应用领域，坚持以市场为导向，持续加大研发投入力度，致力于通过创新和可靠的功率半导体解决方案，与合作伙伴携手共进，驱动行业新发展！
LV/MV MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含 RobustFETTM、SpeedFETTM和BPFETTM三大系列,击穿电压涵盖-100V~200V,具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。
其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高,低 EMI等优点，目前已有超过 20多种封装形式，250多款车规产品，主要应用于热管理（引擎冷却风扇&水泵&油泵），传统动力系统,底盘（EPS&i-Boost&、ESC&One-Box），电动化（逆变器 & DC-DC& OBC），车身电子,网联化（T-box 等）,智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术,并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。
主打产品为SiC MOSFET,产品电压涵盖650V~3300V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。
真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
真茂佳有 IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵盖650V~1200V,其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。真茂佳 IGBT 产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。
真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。
真茂佳主要开发高压650V和中低压30~350VGaN产品，产品的应用领域包括快充电源、激光雷达、DC/DC转换器等。真茂佳立志为广大客户提供高易用性、高可靠性、高鲁棒性和高功率密度的GaN产品，解决客户在实际应用中遇到的问题。
