中国作为全球电子产品制造中心，是全球最大的半导体消费市场。随着以智能手机、3平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、AI、机器人等科技产业的兴起，强力带动了整个半导体行业规模迅速增长。然而，在半导体行业飞速发展的进程中，亦面临着诸多挑战。
在此背景下，2025年7月26日，由电子研习社、世纪电源网主办的第六届国产半导体应用技术大会在深圳·深铁皇冠假日酒店5楼宴会厅隆重召开。真茂佳半导体受邀参展，携多款工业消费类展品精彩亮相，并与现场的专业观众及展商深入探讨AI服务器、电源、光伏、储能等领域的应用和发展趋势。
目前，真茂佳的工规类产品分为四条产品线：中低压MOS、SiC MOS、IGBT、GaN，产品数量多达570+款，满足不同客户的多样化需求。
本次展会，真茂佳半导体重点展示了工业和储能类展板，以及800W-4000W 服务器电源相关产品，如储能锂电保护板、1100w 主控板、500w 主控板、1100w 保护板、600w 保护板、吸尘器、鼓风机、筋膜枪等。
真茂佳半导体的专业销售团队在大会现场积极与客户深度对接、高效沟通，凭借专业素养与服务诚意赢得了客户的广泛认可与高度评价。
展望未来，真茂佳半导体将在工业与消费电子领域持续发力，深耕技术创新与方案优化，为行业客户提供更可靠的半导体解决方案。
真茂佳产品系列
1.LV/MV MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含 RobustFETTM、SpeedFETTM和BPFETTM三大系列,击穿电压涵盖-100V~200V,具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。
其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高,低 EMI等优点，目前已有超过 20多种封装形式，250多款车规产品，主要应用于热管理（引擎冷却风扇&水泵&油泵），传统动力系统,底盘（EPS&i-Boost&、ESC&One-Box），电动化（逆变器 & DC-DC& OBC），车身电子,网联化（T-box 等）,智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术,并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。
主打产品为SiC MOSFET,产品电压涵盖650V~3300V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。
真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
真茂佳有 IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵盖650V~1200V,其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。真茂佳 IGBT 产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。
真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。
真茂佳主要开发高压650V和中低压30~350VGaN产品，产品的应用领域包括快充电源、激光雷达、DC/DC转换器等。真茂佳立志为广大客户提供高易用性、高可靠性、高鲁棒性和高功率密度的GaN产品，解决客户在实际应用中遇到的问题。
